东芝最近正在开发大容量闪存芯片的核心，若开发成功后将可以让容量提升至100Gb（约12.5GB）。当然了，这个研发时间是相当长的，而且在开发成功后，这些技术仍然需要几年时间才能降低成本并且大量普及。所以我们不用期待在这两年内用上这种闪存。

　　东芝表示，这种关键的核心的制程为10纳米，大大先进于目前使用65纳米甚至更旧制程的芯片。不过研发需要将目前的技术推进到50纳米，45纳米，32纳米，慢慢推进进程。在制程接近10纳米的时候，目前的闪存设计将不再适用，闪存设计将由于制程的更新而需要重新设计。