台积电32nm制程SRAM试产成功

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台积电32nm制程SRAM试产成功

振华网 2007年12月12日作者：阿亮编辑：阿亮

11日，台积电公司在美国华盛顿举行的国际电子元件大会（International Electron Devices Meeting，IEDM）上发表论文，宣布在半导体代工企业中第一个开发出可同时支持模拟和数字集成电路的32nm制程技术。论文中同时指出，台积电已经成功试制出了32nm技术的2Mb SRAM单元，并通过功能验证。

相比Intel、IBM等公司的技术，台积电有自己的独特之处，即他们无需使用高介电常数（High-k）和金属栅极（metal gate）技术，就可以达到32nm制程要求的规格水平。另外，试产的这块高密度SRAM面积仅0.15平方微米，采用193nm浸润式（immersion lithography）双重曝光（double patterning）技术制成。

台积电表示，他们的32nm制程技术具有低能耗、支持模拟和射频、铜导线和低介电常数（low-k）材料导线等优势，非常适合于生产便携产品所需的芯片产品。