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NEC宣布新高速MRAM试制成功

振华网 2007年12月03日作者：阿亮编辑：阿亮

日本NEC公司周五宣布，已经开发成功业内最高速的MRAM存储器（Magnetoresistive RAM 磁性随机存储器），频率达到250MHz，已经可以替代大规模集成电路中的SRAM缓存。

MRAM拥有非易失性，存储单元体积小，功耗低，读写寿命无限等等的优势。其速度远高于闪存，业界普遍认为MRAM有可能在将来用作PC内存，实现即时开机进入操作系统。

NEC的新款高速MRAM容量为1Mb。每个存储单元由2个晶体管和一个磁阻单元组成。由NEC独立设计的这种新结构让MRAM频率达到250MHz，比目前MRAM普遍100MHz的频率提高了1倍以上。测试显示，其数据输出时间仅为3.7ns，已经可以替代大规模集成电路LSI中的SRAM缓存，依靠MRAM的非易失性优势，大幅降低集成电路的功耗。