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Hynix DDR内存技术迈向54nm
振华网
2007年11月23日 作者:阿亮 编辑:阿亮
Hynix宣布,其54nm工艺1Gb DDR2 DRAM内存生产技术已经获得Intel的认证许可,这也是内存业界首次步入50nm级别。
与60nm相比,54nm可以让内存芯片面积减小大约40%之多,从而大大降低生产成本,并改进频率功耗指标。此外,Hynix还提出了“三维晶体管”架构和“W-DPG”技术可以将电流泄漏降到最低,从而进一步降低总体功耗。
Hynix称,54nm技术将从明年下半年开始用于生产DDR2和DDR3内存芯片,容量1Gb、2Gb,此外该技术还可在未来用于生产显存芯片和移动内存芯片。
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