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三星首创30nm 64Gb NAND闪存芯片
振华网 2007年10月24日 作者：阿亮 编辑：阿亮

三星电子近日在闪存技术领域再次取得重大突破，研发成功了全球首款64Gb容量的MCL NAND闪存芯片，并开创性地使用了30nm工艺。

单颗芯片达到64Gb后，三星只需16颗这种芯片就可以生产128GB的大容量存储卡。

为了将生产工艺改进到30nm，三星应用了新的“自对准双曝光技术”(SaDPT)，融自对准技术和193nm波长光源ArF两次曝光技术于一身。

三星称，这种创新性的芯片要到2009年才会投产。

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