三星首推60nm工艺2Gb DDR2

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三星首推60nm工艺2Gb DDR2

振华网 2007年09月12日作者：阿亮编辑：阿亮

三星电子宣布成功研发出业界第一款基于60nm工艺的2Gb DDR2 DRAM内存芯片，并将在今年底投入量产。

与80nm 2Gb DDR2相比，60nm 2Gb DDR2在800MHz频率下的性能可以最多提升20％，更重要的是节能效率可以增强40％之多。

另外，2Gb DDR2芯片还能提供更大容量的存储方案。组成4-Rank 8GB内存模组的话，1Gb芯片需要72颗，2Gb就只要36颗，这样就可以在同样的容量下将功耗降低大约30％，从而散发更少的热量、降低散热需求、改善内存稳定性。

三星将提供四种规格的2Gb DDR2芯片内存模组：面向服务器的8GB FB-DIMM和8GB RDIMM，面向桌面的4GB UDIMM和面向笔记本的4GB SO-DIMM。

这样，三星的整个DDR2芯片产品线都将转入60nm，容量从512Mb到2Gb不等。