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淘汰512Mb颗粒的 1Gb三星颗粒杀到
振华网
2007年09月07日 作者:阿亮 编辑:阿亮
援引DRAMX消息,三星电子(Samsung Electronics)正式推出采用62nm制程生产的1Gb DRAM颗粒,由于这颗DRAM颗粒制造成本,直逼部分DRAM厂采用90nm制程所生产512Mb DDR2颗粒,使得三星DRAM产品在市场上具絶对竞争优势,这亦将严重威胁目前其它DRAM厂手上512Mb DDR2颗粒库存及出货,可预期未来恐难避免将引爆一波杀价抛货狂潮。
台DRAM厂表示,尽管三星在全球标准型DRAM市场占有率逐步走低,但业界恐不能对于这位过去在DRAM市场呼风唤雨的老大掉以轻心,尤其向来以研发能力着称的三星,近期正式在DRAM市场投出一颗超级震撼弹,三星采用62nm制程所生产1Gb DRAM颗粒,9月起正式上市,对于既有512Mb DDR2市场恐将造成重大冲击。
台DRAM厂指出,三星该秘密武器之所以会让竞争对手感到忧心,最主要因素在于其采用62nm制程投产,且制造成本已可压低至每颗约2.5美元,这样的低制造成本,不仅与目前多数采用90nm制程生产的512Mb DDR2颗粒相差不远(约1.8~2.0美元),更重要的是,一旦三星大量生产出货,三星1Gb DRAM颗粒制造成本可能进一步降至约2.0美元,在储存容量倍增、售价却相近情况下,既有512Mb DDR2颗粒恐难在市场上存活。
就多数OEM计算机大厂而言,目前预装Vista软件的笔记型计算机(NB)或桌上型计算机(DT),最基本内部DRAM模块配备容量至少为2GB,如此一来,OEM计算机大厂每一条1GB DRAM模块若采用1Gb颗粒制造,现阶段采购成本约22~23美元,而若采用512Mb DDR2颗粒制造1GB模块时,却需要花费采购成本高达30美元以上。
由于1GB模块采购价差便高达至少8~10美元,对于OEM计算机大厂而言,理所当然会采用成本较低的三星1Gb颗粒,因此,这对于目前还在大量采用90nm制程制造512Mb颗粒的其它竞争对手来说,势必会遭遇到相当沉重压力。
值得注意的是,一旦三星大量产出62nm制程1Gb颗粒,并进一步降低制造成本后,其它DRAM厂商手上所拥有512Mb DDR2颗粒,恐将成为烫手山芋,可预期未来将会引爆一波杀价抛货狂潮。
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