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东芝开发新型3D堆叠NAND闪存

振华网 2007年06月14日作者：阿亮编辑：阿亮

近日在一次超大规模集成电路座谈会上，东芝公司公开了一种新的三维堆叠存储芯片技术，并不需要制程的改进，就能够在不大幅增加芯片面积的情况下提高存储密度和数据容量。

过去的堆叠存储技术，都是简单的将传统平面存储芯片一层一层的叠放起来，并不断重复这一过程。虽然这种方法可以提高芯片存储密度，但是却使制造过程更加复杂，耗时更长。

东芝凭借新的蚀刻技术，在晶圆上穿孔，制造出多层的门电极和绝缘层。，经过掺杂的硅柱填充这些孔洞后，门电极和绝缘层围绕这些硅柱有间隔的闪存电路。

东芝的新技术改变了整个闪存芯片的设计结构，可以在不增加芯片体积的情况下大幅度提高存储密度。根据东芝的说法，堆叠32层的情况下可以讲存储密度提高10倍。

目前，东芝还没有透露这一技术的投产计划。