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Hynix DDR3内存获Intel认证
振华网
2007年05月04日 作者:阿亮 编辑:阿亮
韩国Hynix海力士半导体公司近日宣布,他们从Intel获得了业界首个DDR3内存的认证。
获得Intel认证的是Hynix 1Gb DDR3内存颗粒,使用Hynix的80nm制程生产,可以用于制造1GB或2GB的Unbuffered-DIMM PC内存条。这些颗粒可以在1.5V电压下运行800MHz或1066MHz频率,800MHz下延迟为5-5-5或6-6-6,1066MHz下为7-7-7。
Hynix的1Gb DDR3颗粒将于第三季度开始量产,Hynix希望在年底前将制程升级到66nm。
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