IBM日前宣布“穿透硅通道”(TSV)技术取得重大突破，很快就能提供商用的堆叠式“3D”处理器芯片；现在，三星率先将这一技术用在了DRAM内存领域，开发出了全球首款堆叠式“3D”内存芯片，内存条的容量也将因此大大增加。

三星的这种“晶圆级堆叠封装”(WSP)内存芯片由4个512Mb DDR2芯片组成，总容量2Gb，因此如果用来生产DDR2 DIMM内存条，就可以得到4GB的容量——双面、16颗芯片。虽然现在已经有了8GB的DDR2内存条，但使用WSP和TSV技术的产品前景无疑更为广阔。

与Intel、IBM的TSV技术类似，三星也是将多块芯片堆叠在一起，然后在硅片上钻出微小的孔洞，并以铜材料填充。现有的一般性多芯片堆叠技术通常需要线路来连接多个芯片，在堆叠芯片外部也有导线相连，而TSV就不用这些额外的线路，因而封装厚度更薄、体积更小，印刷电路板的制作也更简单。

三星还特别指出，WSP DRAM内存芯片中的TSV周围环绕着铝衬垫，目的是“避免重分布层导致的性能下降效应”。三星相信，这种独特的新技术不但可以给未来的DDR3内存带来1.6Gb/s的更高速度，还能有效降低内存的功耗。

三星没有透露何时将这种TSV WSP DRAM内存产品投放市场。IBM计划今年底提供TSV通信芯片样品，明年开始商业性投产。

三星TSV WSP DRAM技术示意图