Hynix Semiconductor宣布已经研发出一款512Mbit移动DDR SDRAM，时钟频率185MHz，并支持ECC（错误纠正代码）功能。这款SDRAM设计用于移动设备，采用80nm工艺生产。

Hynix表示，这款SDRAM的量产预计在2007年下半年开始，而样品将在今年Q3早期推出。

Hynix声称这款SDRAM的数据吞吐量达到1.5Gb/s，并支持32位I/O。ECC功能允许延长刷新间隔，从而降低功耗近50%。

512Mb ECC mobile DDR还提供了许多传统的低功耗功能，以适应各种移动应用。这些功能包括降低工作电压，温度补偿自刷新（TCSR），局部自刷新（PASR），以及深度休眠模式（DPD）。

Hynix还计划将512Mb ECC mobile DDR和NAND闪存组合起来，以多芯片封装（MCP）或层叠（POP）堆栈形式提供。