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三星准备迈入DDR3内存时代
振华网 2007年03月12日 作者:阿亮 编辑:阿亮


三星已经准备好了自己的新一代DDR3内存,预计在本月下旬的CeBIT 2007上就能看到实物展示。

三星计划在今年第一季度试产256MB、512MB、1GB的DDR3内存,下季度投产8颗芯片的1GB型号和16颗芯片的2GB型号。

当然,这主要是受Intel的驱动。今年二三季度,Intel将陆续推出支持DDR3的P35和X38芯片组,由此拉开DDR3时代序幕,不过AMD已经明确表示不会在今年采纳DDR3,而要等到未来的Socket AM3平台。

与DDR2相比,DDR3在频率和电压两个方面均有较大进步:DDR3可以轻松运行在1333MHz甚至1600MHz,而DDR2最高也不过1300MHz左右,而且电压要加到2.3V,要达到1600MHz是不可能的;DDR3的电压将从1.8V降至1.5V,不但有利于频率的提升,也会降低功耗。

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