三星率先量产60nm工艺DRAM内存

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三星率先量产60nm工艺DRAM内存

振华网 2007年03月02日作者：阿亮编辑：阿亮

就在大多数内存厂商还在为70nm工艺努力的时候，三星今天宣布已经开始在业界率先大规模量产60nm 1Gb DDR2 DRAM内存了。与2006年初引入的80nm相比，60nm可将生产效率提高40％，与90nm相比更是可以翻一番。

这种新工艺芯片是三星在2005年开发出来的，如今终于得以投产。预计60nm将在2008年成为DRAM内存业界的主流技术。三星预计，60nm技术将在明后两年分别带来23亿美元和320亿美元的收入。

三星基于60nm 1Gb DRAM芯片的内存模块有512MB、1GB、2GB等容量，频率667MHz或800MHz。三星希望新工艺的采用能在近期将1Gb DRAM推向主流地位，取代512Mb DRAM，满足Windows Vista需求。

从90nm工艺开始，三星引入了独有的三维晶体管技术，“凹道排列晶体管”(RCAT)能在三个方向上构建DRAM单元，可以显著缩小芯片体积、提高存储密度。这一技术使得三星在工艺进程的革新速度上加快了一倍，有望一直持续到50nm甚至更远。同时，三星还在70nm之后采用了“金属绝缘层金属”(MIM)技术，以增强数据存储能力。

另外，三星的50nm DRAM也已经在去年10月研发成功，量产时间未定。