多快好省 IBM展示DRAM缓存新技术

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多快好省 IBM展示DRAM缓存新技术

振华网 2007年02月15日作者：阿亮编辑：阿亮

在近日举行的国际固态电路会议ISSCC上，IBM向外界公布了最高速的eDRAM芯片缓存技术，可以更加方便的在处理器内部放置更大容量的缓存，同时速度也更快。

一般意义上，CPU使用SRAM来作为它的一级、二级缓存，原因是SRAM比DRAM要快的多。而IBM的eDRAM技术则在DRAM上实现了同样的速度，同时只需要消耗三分之一的空间，五分之一的能源。新的eDRAM技术使用IBM的绝缘硅SOI技术制造，目前应用在65nm工艺下，未来将会升级到45nm。

IBM 45nm开发总监Subramanian Iyer说：“由于半导体行业已经发展到了原子尺寸，设计上的创新已经替代了材料科学，从而驱动了摩尔定律的延续。”IBM的新eDRAM技术特征如下：

尺寸：0.126 mm2
电压：1 V
有效性：98.7%
排列：1000行x16列x146 （2Mb）
功率：76 mW
待机功率：42 mW
随机读写周期：2ns
延迟：1.5ns

IBM的eDRAM目前还没有走进PC领域，但其实早已经在游戏机上安了家。通过之前ATI和IBM的合作，从任天堂GameCube上的Flipper，到Wii上的Holloywood，再到微软Xbox 360上的Xenos，这些GPU的内部都蕴含着eDRAM的支持。