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IBM 45nm芯片使用DRAM缓存 达48MB
振华网
2007年02月14日 作者:阿亮 编辑:阿亮
IBM公司本周三在国际固态电路会议上宣布,其明年投产的45nm处理器缓存将使用DRAM(动态RAM)来代替SRAM(静态RAM),并有效提高可容纳的缓存容量达3倍。
IBM公司45nm开发主管Subu Iyer介绍说,目前的CPU都使用SRAM作为缓存,但在芯片体积不断减小的情况下,放置大容量的SRAM容易造成较大的漏电流,使得制造越来越困难。因此设计者都希望引入使用晶体管数量更少的DRAM。而问题在于,目前没有厂商能够在嵌入式DRAM上使用SOI技术。IBM早已经在诸如Power5处理器上使用SOI技术来降低漏电流,也已在蓝色基因处理器产品上使用DRAM缓存,而此次揭晓的突破则是把两项技术结合起来。
IBM的45nm处理器产品将会首先使用嵌入式DRAM缓存,预计在2008年投产,每颗芯片的缓存容量高达24MB到48MB。而今年晚些时候推出的Power 6处理器缓存仅有8MB。
Intel也在为增大处理器缓存容量寻找出路,但他们没有替换SRAM,而是使用一种名为“floating-body cells”浮体单元的技术,其“Montecito”安腾处理器已经可以嵌入24MB缓存。
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