三星调新晶圆厂Dram/闪存产能配比

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三星调新晶圆厂Dram/闪存产能配比

振华网 2006年12月25日作者：阿亮编辑：阿亮

　接最新消息，目前产能以及市场份额全球第一大的NANDFlash闪存及DRAM厂商的三星电子（Samsung Electronics）决定调整其最新晶圆厂Line15的产能配比。该座代号为Line15的晶圆厂原本预定DRAM及NANDFlash各占50％的产能，但因为2006年内，全球NANDFlash的价格剧烈下跌，三星于是将产能调整为全数生产标准型DRAM产品，对于是否会影响到未来内存的价格，分析师认为虽然三星Line15 晶圆厂多出50％的DRAM产量，但是对于全球在未来的DRAM需求庞大的背景下，增加的产能并不足以影响到价格大幅变动。

　　目前全球NANDFlash价格在2006年初以来，只有短暂的止跌回升时光，各大半导体厂商东芝（Toshiba）、海力士（Hynix）、IM 闪存等由于在制程以及成本方面不断有突破，产能屡见增长，而美光（Micron）CEO更认为在投资NANDFlash初步阶段想要获利并不容易，但考虑到长远发展，仍将继续投资NANDFlash市场。全球第一的NANDFlash制造商三星，为确保盈利水平，也不再像过去那样大手笔的投入NANDFlash市场，于是将最新的Line15厂的产能配比重新做出调配，预期调整对于未来整体NANDFlash及DRAM市场两方面都将获得双赢的效果。

　　三星在规划Line15晶圆厂时所规划的产能配比为50：50，一半DRAM，另一半则为NANDFlash。但其后经历了2006年整整一年的闪存价格下跌，三星已决定改为70：30的比例，把70％的产能用于DRAM，剩下30％用作NANDFlash。但是到了最近，三星再度调整比例，让100％产能分配给DRAM产品，这预示未来2007－2008年全球的NANDFlash价格仍然会降价。而市场调查机构提供的数据表明，2007年NANDFlash市场的仍然有压力。

　　至此，三星把Line15厂的产能配比改为100％投产DRAM，而Line15厂的产能约5K～8K片wafer，并采用65nm制程，到2007年第一季左右产能可达每月15K片左右，而估计2008年底前后可实现满载产能大约为50K片。