搜索
论坛
用户:
密码:

游戏频道 - 网游 单机 电视 掌娱
您当前位置:首页 >> 内存频道 >> 新闻 >> 正文                           
Hynix发布60nm DDR2-800内存
振华网 2006年12月18日 作者:阿亮 编辑:阿亮


韩国Hynix半导体今天宣布推出基于60nm 1Gbit DDR2 DRAM芯片的系列高容量内存模组。这种新内存适用于高密度DRAM组件和高性能产品,诸如图形和移动DRAM。Hynix表示将在明年上半年进行商业量产。

1GB和2GB UDIMMs工作频率在800MHz,并且通过Intel认证。Hynix强调,和第一代80nm技术相比,在60nm制程大规模部署之后,1Gbit DRAM的生产成本预期将降低50%。

1Gbit封装尺寸的结果,将让Hynix可以低成本生产4GB或者以上容量的RDIMM、FB-DIMM。双列小封装尺寸将免除在模组上堆叠部件的要求,以进一步降低生产成本。小封装尺寸也可以生产出VLP模组。

上一条新闻:
下一条新闻:

[收藏文章] [发表评论] [打印文章] [关闭窗口]

更多相关:Hynix  

 

相关文章
最新文章
·Hynix发布首款54nm制程的2GB移动DRAM
·AMD/NV均将采用TSMC 40nm和Hynix GDDR5
·IDF:Hynix发布16GB R-DIMM DDR3内存
·减低电压需求,Hynix发布1Gb LPDDR2内存颗粒
·Hynix量产8GB DDR2 RDIMM服务器内存
·Hynix DDR内存技术迈向54nm
·Hynix推出业界首颗1Gb GDDR5显存
·Hynix离开内存零售市场


      
热门文章
频道最新


      
文章评论(网友评论条)
 
姓名:
最新热图
 

热门图片行情

热门图片新闻

Copyright @ 2001-2008 Zenha.net, All Rights Reserved
版权所有 振华网 苏ICP备05084422号