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第3季度NAND型闪存市场 东芝份额逼近30%
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2006年11月21日 作者:阿亮 编辑:阿亮
美国iSuppli发表了2006年第3季度(7~9月)NAND型闪存市场的销售额排名(iSuppli发布资料、英文)。在前三名中,第2位东芝公司的市场份额比上季度增加3.2个百分点,为27.8%,与榜首南韩三星电子之间的差距缩小了6.3个百分点。
第一名三星的份额下降了3.3个百分点
第3季度,东芝NAND型闪存的销售额为8亿4900万美元,比前期增加26.2%。按比特换算的产量比前期增加70%。与此相比,第一名三星的销售额仅比前期增加4.3%。结果导致三星份额下滑3.3个百分点,跌到了43.1%。
第3位南韩现代半导体(Hynix Semiconductor)的销售额比前期增加11.9%,份额与前期相同为18.5%。通过美国IM闪存科技(IM Flash Technologies,LLC)合作开展NAND型闪存业务的英特尔与美光科技(Micron Technology)的销售额与前期相比均有迅速增长,分别增加了127.8%和35.3%。
iSuppli介绍,目前1个单元存储2bit数据的MLC(multi level cell)所占的比例正在迅速增长。紧随MLC比例已占90%以上的东芝,截至第3季度,三星和Hynix也分别将MLC的比例提高到了40%和50%。这样,到2007年第1季度,全球市场的MLC比例将提升至80%。
第4季度市场预测近期下调
2006年第3季度NAND型闪存的市场规模为31亿美元,比第2季度的27亿美元增加11.8%。基本符合iSuppli初期时的预测。该季度的比特增长率比前期赠加44%,每比特的价格下降22%。同期,DRAM的市场规模为91亿6500万美元,NAND型闪存的市场规模相当于DRAM的1/3。
由于预测到配备NAND型闪存的携带型音乐播放器销售额的增长速度将会放慢。iSuppli将于近期下调原先的2006年第4季度NAND型闪存市场预测。iSuppli认为,到2007年,同时生产DRAM和NAND型闪存的厂商会在增加没有降价的DRAM的生产比例,NAND型的降价速度将会因此得到减缓。
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