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三星NAND闪存进军40nm工艺

振华网 2006年09月12日作者：阿亮编辑：阿亮

三星今天宣布了全球首款采用40nm、high-k工艺生产的NAND闪存芯片，容量达32Gb。

三星表示，新的芯片可以用来制造64GB容量的SD卡或CF卡，足以存储64小时的DVD分辨率电影(40部)或者1.6万首MP3歌曲(1340小时)。

三星的这种芯片使用了一种名为“Charge Trap Flash(CTF)”的新架构技术。这种金属单闸极架构不同于传统的规双闸极架构，可在20nm工艺下生产出256Gb容量的芯片，而后者最多只能在50nm工艺下实现16Gb。

NAND闪存目前广泛应用于数码相机、MP3播放器、USB记忆棒等，而且正随着混合硬盘、固态磁盘、外置存储设备等新概念进入PC领域。虽然容量上的弱势限制了其大范围普及，但三星表示，等到2010年左右，20nm工艺可将NAND闪存芯片的容量提升至128GB乃至256GB。

至于与NAND闪存分庭抗礼的NOR闪存，三星认为新的PRAM(相变随即存取内存)有望取而代之。三星称，PRAM比NOR在速度上快30倍，生产步骤上少20％，读写循环次数(寿命)也是后者的10倍，更具备“无限的”扩展潜力。三星已经成功制造出了面积仅有0.0467平方微米的PRAM芯片原型，预计2008年推出首款相关产品，容量512Mb。

根据iSuppli的数据，三星在今年第二季度占据了全球NAND闪存市场的46.2％。