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Intel与美光挺进50nm工艺NAND闪存

振华网 2006年07月26日作者：阿亮编辑：阿亮

Intel和美光宣布已经开始在业界率先试验性生产50nm工艺的NAND闪存。

通过联合投资兴建的IM Flash Technologies，Intel和美光正在使用新工艺试生产4Gb容量的NAND闪存，预计2007年的某个时候投入量产，不过双方都没有透露届时的容量。

美光在2004年进入NAND闪存领域，目前排名第五，份额约4％；Intel虽然是第二大NOR闪存生产商，但在NAND闪存业内还是新手；三星则以50％以上的份额称霸，并且上周刚刚宣布了采用60nm工艺的8Gb NAND闪存，本季度即可上市。

今年1月，Intel和美光各自投资约12亿美元成立了IM Flash Technologies，用于为双方生产NAND闪存，并且进展顺利，还得到了苹果的青睐，此次投入试验的50nm工艺即来自这里。

据预计，NAND市场今年的价值可达130-160亿美元，2010约为250-300亿美元。