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Elpida研发1.6GHz高速DDR3内存技术
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2006年02月14日 作者:阿亮 编辑:阿亮
在近日的国际固态电路会议上,Elpida宣布正在研发用于DDR3 SDRAM的高速、低功耗电路新技术。Elpida目前已经使用该新技术生产出了容量512Mb、列读取时间8.75ns、频率1.60GHz的DDR3内存。
Elpida的新技术包括一个实现高速数据访问的转换电路和一个保证DRAM内存中高速数据传输稳定性的数据读出时序产生模块。
测试结果表明,新的电路技术可以支持800MHz的输入频率和1600MHz的输出频率,后者即相当于1.6Gb/s的数据传输率。而且,即使使用更高的频率,时钟操作期间的待机电流也会有22%的下降。
Elpida表示,他们已经准备开始使用这种新技术生产DDR3内存,所用工艺为90nm技术。
目前,英飞凌和三星等公司也都纷纷投入了DDR3的研发工作,Intel也计划在2007年下半年开始支持DDR3。据市场调查公司预计,DDR3内存在今年即可进入市场,2008年占据55%的内存市场,2009年的普及率可达65%。
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