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南亚科、英飞凌DDRII库存拉警报 华亚科全力供货 |
本站 2006年01月04日 作者：振华网 编辑：
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受到国际OEM计算机大厂对于DDRII产能需求量不断拉高，但DRAM厂DDRII库存量都相对有限，因此像是南亚科（2408）以及英飞凌（Infineon）已开始向其代工厂华亚科技（3474）要求全力加速供应DDRII，因此让华亚科12月营收激增。此外，由于华亚科本身投片量已达一定程度，为进一步增加产出数量，被迫加速90奈米制程投片进度，估计至2006年中将可全数转移至90奈米制程投产标准型DRAM。
据OEM计算机大厂指出，目前DRAM合约市场中想要真正找到充足的DDRII货源，机会相较过去大减许多，像是三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）及美光（Micorn）均为了自家NAND型Flash市场占有率而不断扩厂，对于标准型DRAM产能根本不太在意，也因此造成市场上DDRII产能增加速度有明显出现减缓现象，然而对于OEM计算机大厂而言，新产出机种大多以DDRII为主，对于DDRII需求有增无减，因此让目前DDRII相当抢手。
为此英飞凌以及南亚科均已对其代工大厂华亚科发出需求警报，希望华亚科能加紧脚步，积极制造DDRII以便能解决燃眉之急，而华亚科也因12月积极供货使其营收由11月的新台币21亿元左右，快速拉高至新台币23～24亿元的惊人水准，月增率足足达10％，第四季获利也较前几季有更明显的增长。
不过目前看来华亚科本身投片量已到极限，不太可能有机会再增加投片数量，为了能进一步来满足南亚科以及英飞凌对DDRII产能的需求，解决之道便是加紧投产90奈米制程技术。据了解，由于华亚科当前0.11微米制程良率已达到90％以上，因此要进一步转进90奈米制程，除非良率能够迅速拉升至70％以上，否则将出现因转换90奈米制程而使得产能被迫下跌情况。
据悉，华亚科当前于90奈米制程技术上已到相对稳定阶段，预期在第一季0.11微米制程便可达经济转换目标（cross over），接下来将快速拉高在90奈米制程投产比重，估计到了2006年中便可完全采用90奈米制程投片，届时华亚科整体产量将再增加约30％的产能，这部份还不包含华亚科第二座12吋厂的产能。
市场分析师认为，因南亚科及英飞凌对于DDRII需求相当殷切，因此华亚科将继续提高DDRII产能，估计到目前为止，DDRII产出量约占华亚科整体产出量80％～90％。
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