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Hynix试产GDDR4成功 -0.7ns颗粒速度达2.9GHz

本站 2005年12月20日作者：振华网编辑：

继记忆体厂商Samsung宣布成功试产下一代绘图用记忆体GDDR4颗粒，韩国Hynix昨日亦宣布成功试产GDDR4记忆体颗粒，并将交给主要显示卡生产商作试产用途。据Hynix表示，第四代绘图用记忆体将改善资料传送速度，并首次在绘图记忆体颗粒中使用了Cutting-edge技术的Dat Bus Inversion及Multi Preamble技术，令它可以比现时最高速的GDDR3快56%。Samsung，预计将会在2006年上半年进入量产阶段，而Hynix首颗GDDR4记忆体颗粒将是-0.7ns 16M x 32 512Mb GDDR4，可2.9GHz脉下并拥有11.6GB/s的频宽，比早前Samsung宣布的-0.8ns GDDR4还要快。

而Hynix更预期将会在2006年下半年推出最高速的GDDR4记忆体颗粒，频宽将会进一步提升至14.4GB/s，看来2006年高阶显示将会进入GDDR4时代。